| 製造商 | Ferrotec |
| 產品型號 | Photoveel II / Photoveel II-S |
Photoveel II 與 Photoveel II-S 是推動新世代探針卡的材料，可加工出孔徑小至 40 微米、間距 60 微米的孔。
提供多種熱膨脹係數範圍。
孔徑可小至 30 微米
規格表：
細晶粒結構
優異的機械性質以達成高精度
規格
| 特性 | 單位 | Photoveel II | Photoveel II-S |
|---|---|---|---|
| 主成分純度 | wt% | – | – |
| 顏色 | – | 淺灰色 | 淺灰色／黑色 |
| 密度 | g/cm³ | 2.56 | 3.5 |
| 吸水率 | % | 0 | 0 |
| 抗彎強度 | MPa | 440 | 320 |
| 楊氏模數 | GPa | 157 | 130 |
| 維氏硬度 | GPa | 2.3 | 2.3 |
| 最高使用溫度 | °C | 1000（非氧化環境） | 1000（非氧化環境） |
| 平均熱膨脹係數 | 10−6/°C | 1.4（室溫–400 °C） | 4.7（室溫–150 °C） |
| 熱傳導係數 | W/m·K | 50 | 23 |
| 耐熱衝擊性 | ΔT (°C) | 600 | 400 |
| 體積電阻率 @25 °C | Ω·cm | 1015 | 1015 |
| 體積電阻率 @300 °C | Ω·cm | 1014 | 1011 |
| 體積電阻率 @500 °C | Ω·cm | 1011 | 107 |
| 體積電阻率 @800 °C | Ω·cm | 107 | 104 |
| 介電常數（1 GHz） | – | 5.5 | 9.0 |
| 介電損耗（1 GHz） | 10−4 | 10 | 25 |
| Q 值（1 GHz） | 104 | 0.10 | 0.04 |
| 介電崩潰電壓 | kV/mm | 35 | 30 |
| 主要特性 | – | 高強度；低熱膨脹；可精密加工 | 高強度；熱膨脹接近矽；可精密加工 |
