700 W/(m·K) 高熱傳導 × 8.1 ppm/K 低熱膨脹，高功率模組散熱的新世代選擇
Ag Diamond 是益瑞代理之國際原廠為高功率模組開發的銀-鑽石複合散熱片（heatsink）材料。熱傳導率達 700 W/(m·K)——約為純銅（394 W/(m·K)）的 1.8 倍、CuW（174 W/(m·K)）的 4 倍；熱膨脹係數僅 8.1 ppm/K（RT–800°C），與 CuW（7.9 ppm/K）相近而遠低於純銅（19.4 ppm/K），可在大幅提升散熱能力的同時，降低對晶片與陶瓷封裝的熱應力。平坦度 14 μm 與 CuW 同級，並可沿用與 CuW 相同的製程與硬焊（brazing）整合方式，適用於次世代 RF 與功率半導體封裝。
晶片發熱
GaN／SiC 等高功率晶片是集中熱源，熱量經晶片接合層向下傳遞。
快速導熱＋橫向擴散
Ag Diamond 以 700 W/(m·K)（約 CuW 的 4 倍）將熱帶離晶片，並向整個底面攤開。
低應力接合
CTE 8.1 ppm/K 與陶瓷封裝（AlN 4.9／Al₂O₃ 6.7）的硬焊接合匹配，溫度循環下不易劣化。
導出系統
熱量傳入系統底板／散熱基座，排出至環境，完成散熱路徑。
產品規格
| 項目 | 規格 |
|---|---|
| 材料結構 | 銀（Ag）基材 ＋ 鑽石（Diamond）顆粒複合材料 |
| 熱傳導率 | 700 W/(m·K) |
| 熱膨脹係數（CTE） | 8.1 ppm/K（RT–800°C） |
| 平坦度（Flatness） | 14 μm（量測面積 10.4×5.6 mm） |
| 適用封裝尺寸 | 約 10×10 ~ 100×100 mm |
| 製程相容性 | 可沿用與 CuW 相同的製程；硬焊（brazing）整合 |
| 搭配陶瓷封裝 | AlN、Al₂O₃ 等陶瓷封裝材料 |
| 產品階段 | 開發階段（受理送樣評估／設計導入洽詢） |
散熱片材料對照表
散熱片材料的兩難：導熱好的（Cu）熱膨脹太大，熱膨脹低的（CuW／CuMo）導熱不夠。Ag Diamond 兼顧兩者，落在理想區。
| 項目 | Ag Diamond | 純銅 Cu | CuW | CuMo |
|---|---|---|---|---|
| 熱傳導率 W/(m·K) | 700 | 394 | 174 | 195 |
| CTE ppm/K（RT–800°C） | 8.1 | 19.4 | 7.9 | 7.5 |
| 平坦度 | 14 μm | – | 14 μm | – |
| 對晶片熱應力 | 低 | 高 | 低 | 低 |
- 高功率模組（High Power Module）散熱
- RF／通訊基地台
- 衛星通訊
- 雷射加工設備
- 次世代 RF 與功率半導體封裝
- 熱傳導率 700 W/(m·K)，約為 CuW 的 4 倍、純銅的 1.8 倍
- CTE 8.1 ppm/K（RT–800°C），與 CuW 相近，僅純銅的一半以下，顯著降低熱應力
- 平坦度 14 μm，與 CuW 同級
- 可沿用與 CuW 相同的製程與硬焊整合方式，既有產線導入門檻低
- 可與 AlN、Al₂O₃ 陶瓷封裝硬焊整合
FAQ
Ag Diamond 和 CuW 散熱片差在哪裡？
Ag Diamond 的熱傳導率為 700 W/(m·K)，約為 CuW（174 W/(m·K)）的 4 倍；熱膨脹係數 8.1 ppm/K 與 CuW（7.9 ppm/K）相近，平坦度同為 14 μm 等級，且可沿用與 CuW 相同的製程，既有產線導入門檻低。
Ag Diamond 和純銅散熱片差在哪裡？
Ag Diamond 的熱傳導率（700 W/(m·K)）約為純銅（394 W/(m·K)）的 1.8 倍，熱膨脹係數（8.1 ppm/K）不到純銅（19.4 ppm/K）的一半，能大幅降低對晶片與陶瓷封裝的熱應力，提升產品可靠度。
Ag Diamond 可以搭配哪些陶瓷封裝？
可與 AlN（氮化鋁）、Al2O3（氧化鋁）等陶瓷封裝材料以硬焊（brazing）方式整合，作為高功率模組的散熱片。
Ag Diamond 適合哪些應用？
適用於高功率模組的熱管理，包括 RF／通訊基地台、衛星通訊、雷射加工設備，以及次世代 RF 與功率半導體封裝。
Ag Diamond 現在可以採購嗎？如何取得樣品？
Ag Diamond 目前為開發階段產品，受理送樣評估與設計導入洽詢。請透過益瑞電子聯絡窗口或表單與我們聯繫，將由專人協助評估您的應用需求。
