| 制造商 | Ferrotec |
| 产品型号 | Photoveel II / Photoveel II-S |
Photoveel II 与 Photoveel II-S 是推动新世代探针卡的材料，可加工出孔径小至 40 微米、间距 60 微米的孔。
提供多种热膨胀系数范围。
孔径可小至 30 微米
规格表：
细晶粒结构
优异的机械性质以达成高精度
规格
| 特性 | 单位 | Photoveel II | Photoveel II-S |
|---|---|---|---|
| 主成分纯度 | wt% | – | – |
| 颜色 | – | 浅灰色 | 浅灰色／黑色 |
| 密度 | g/cm³ | 2.56 | 3.5 |
| 吸水率 | % | 0 | 0 |
| 抗弯强度 | MPa | 440 | 320 |
| 杨氏模数 | GPa | 157 | 130 |
| 维氏硬度 | GPa | 2.3 | 2.3 |
| 最高使用温度 | °C | 1000（非氧化环境） | 1000（非氧化环境） |
| 平均热膨胀系数 | 10−6/°C | 1.4（室温–400 °C） | 4.7（室温–150 °C） |
| 热传导系数 | W/m·K | 50 | 23 |
| 耐热冲击性 | ΔT (°C) | 600 | 400 |
| 体积电阻率 @25 °C | Ω·cm | 1015 | 1015 |
| 体积电阻率 @300 °C | Ω·cm | 1014 | 1011 |
| 体积电阻率 @500 °C | Ω·cm | 1011 | 107 |
| 体积电阻率 @800 °C | Ω·cm | 107 | 104 |
| 介电常数（1 GHz） | – | 5.5 | 9.0 |
| 介电损耗（1 GHz） | 10−4 | 10 | 25 |
| Q 值（1 GHz） | 104 | 0.10 | 0.04 |
| 介电崩溃电压 | kV/mm | 35 | 30 |
| 主要特性 | – | 高强度；低热膨胀；可精密加工 | 高强度；热膨胀接近硅；可精密加工 |
