700 W/(m·K) 高热传导 × 8.1 ppm/K 低热膨胀，高功率模块散热的新世代选择
Ag Diamond 是益瑞代理之国际原厂为高功率模块开发的银-钻石复合散热片（heatsink）材料。热传导率达 700 W/(m·K)——约为纯铜（394 W/(m·K)）的 1.8 倍、CuW（174 W/(m·K)）的 4 倍；热膨胀系数仅 8.1 ppm/K（RT–800°C），与 CuW（7.9 ppm/K）相近而远低于纯铜（19.4 ppm/K），可在大幅提升散热能力的同时，降低对芯片与陶瓷封装的热应力。平坦度 14 μm 与 CuW 同级，并可沿用与 CuW 相同的制程与硬焊（brazing）集成方式，适用于次世代 RF 与功率半导体封装。
芯片发热
GaN／SiC 等高功率芯片是集中热源，热量经芯片接合层向下传递。
快速导热＋横向扩散
Ag Diamond 以 700 W/(m·K)（约 CuW 的 4 倍）将热带离芯片，并向整个底面摊开。
低应力接合
CTE 8.1 ppm/K 与陶瓷封装（AlN 4.9／Al₂O₃ 6.7）的硬焊接合匹配，温度循环下不易劣化。
导出系统
热量传入系统底板／散热基座，排出至环境，完成散热路径。
产品规格
| 项目 | 规格 |
|---|---|
| 材料结构 | 银（Ag）基材 ＋ 钻石（Diamond）颗粒复合材料 |
| 热传导率 | 700 W/(m·K) |
| 热膨胀系数（CTE） | 8.1 ppm/K（RT–800°C） |
| 平坦度（Flatness） | 14 μm（量测面积 10.4×5.6 mm） |
| 适用封装尺寸 | 约 10×10 ~ 100×100 mm |
| 制程兼容性 | 可沿用与 CuW 相同的制程；硬焊（brazing）集成 |
| 搭配陶瓷封装 | AlN、Al₂O₃ 等陶瓷封装材料 |
| 产品阶段 | 开发阶段（受理送样评估／设计导入洽询） |
散热片材料对照表
散热片材料的两难：导热好的（Cu）热膨胀太大，热膨胀低的（CuW／CuMo）导热不够。Ag Diamond 兼顾两者，落在理想区。
| 项目 | Ag Diamond | 纯铜 Cu | CuW | CuMo |
|---|---|---|---|---|
| 热传导率 W/(m·K) | 700 | 394 | 174 | 195 |
| CTE ppm/K（RT–800°C） | 8.1 | 19.4 | 7.9 | 7.5 |
| 平坦度 | 14 μm | – | 14 μm | – |
| 对芯片热应力 | 低 | 高 | 低 | 低 |
- 高功率模块（High Power Module）散热
- RF／通信基地台
- 卫星通信
- 雷射加工设备
- 次世代 RF 与功率半导体封装
- 热传导率 700 W/(m·K)，约为 CuW 的 4 倍、纯铜的 1.8 倍
- CTE 8.1 ppm/K（RT–800°C），与 CuW 相近，仅纯铜的一半以下，显著降低热应力
- 平坦度 14 μm，与 CuW 同级
- 可沿用与 CuW 相同的制程与硬焊集成方式，既有产线导入门槛低
- 可与 AlN、Al₂O₃ 陶瓷封装硬焊集成
FAQ
Ag Diamond 和 CuW 散热片差在哪里？
Ag Diamond 的热传导率为 700 W/(m·K)，约为 CuW（174 W/(m·K)）的 4 倍；热膨胀系数 8.1 ppm/K 与 CuW（7.9 ppm/K）相近，平坦度同为 14 μm 等级，且可沿用与 CuW 相同的制程，既有产线导入门槛低。
Ag Diamond 和纯铜散热片差在哪里？
Ag Diamond 的热传导率（700 W/(m·K)）约为纯铜（394 W/(m·K)）的 1.8 倍，热膨胀系数（8.1 ppm/K）不到纯铜（19.4 ppm/K）的一半，能大幅降低对芯片与陶瓷封装的热应力，提升产品可靠性。
Ag Diamond 可以搭配哪些陶瓷封装？
可与 AlN（氮化铝）、Al2O3（氧化铝）等陶瓷封装材料以硬焊（brazing）方式集成，作为高功率模块的散热片。
Ag Diamond 适合哪些应用？
适用于高功率模块的热管理，包括 RF／通信基地台、卫星通信、雷射加工设备，以及次世代 RF 与功率半导体封装。
Ag Diamond 现在可以采购吗？如何获取样品？
Ag Diamond 目前为开发阶段产品，受理送样评估与设计导入洽询。请通过益瑞电子联系窗口或表单与我们联系，将由专人协助评估您的应用需求。
